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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。
陳?。。?nbsp;18.06.05.03.85.3
51305072-100
CLCN-A/B LCN I/O card CE
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CLCN-A LCN I/O Card CE
51305072-300
CLCN-B LCN I/O Card CE
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CLCNA/B LCN I/O non-CE
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CLCN-A/B LCN I/O short CE
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5-slot chassis Fan Assy
51400712-100
5 slot chassis pwr supply
51400965-100
